Technische Information / Technical Information
Netz Gleichrichterdiode
Rectifier Diode D 471 N 80 ... 90 T
Vorläufige Daten
Preliminary Data
BIP AC / SM PB /2000-07-05 Beuermann / Keller Release 3 Seite/page
N
1
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Periodische Spitzensperrspannung
repetitive peak reverse voltage tvj = -40°C ... tvj max
f = 50Hz VRRM 8000
8500
9000
V
V
V
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert
RMS forward current tC = 60°C, f = 50Hz IFRMSM 1200 A
Dauergrenzstrom
mean forward currenttC = 100°C, f = 50Hz
tC = 60°C, f = 50Hz IFAVM 565
760 A
A
Stoßstrom-Grenzwert
surge forward currenttvj = 25°C, tp = 10ms
tvj = tvj max, tp = 10ms IFSM 11
10 kA
kA
Grenzlastintegral
I2t-value tvj = 25°C, tp = 10ms
tvj = tvj max, tp = 10ms I2t605-103
500-103A2s
A2s
Charakteristische Werte / Characteristic values
Durchlaßspannung
forward voltage tvj = tvj max, iF = 1200A vFmax 3,2 V
Schleusenspannung
threshold voltage tvj = tvj max V(TO) 1,18 V
Ersatzwiderstand
forward slope resistance tvj = tvj max rT1,69 mΩ
Durchlaßrechenkennlinie
On-state characteristics for calculation
(
)
VA B iCiDi
F F F F
=+⋅+⋅+ + ⋅ln 1
tvj = tvj max A
B
C
D
max.
0,715
0,000943
-0,0556
0,0506
Sperrstrom
reverse current tvj = tvj max, vR = VRRM iR50 mA
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2
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case beidseitig / two-sided, DC
Anode / anode, DC
Kathode /cathode, DC
RthJC max
max
max
0,028
0,051
0,062
°C/W
°C/W
°C/W
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sided
einseitig / single sided
RthCK max
max 0,006
0,012 °C/W
°C/W
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
max. junction temperature tvj max 160 °C
Betriebstemperatur
operating temperature tc op -40...+160 °C
Lagertemperatur
storage temperature tstg -40...+160 °C
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage
case, see appendix Seite 3
Si - Element mit Druckkontakt
Si - pellet with pressure contact 38DN90
Anpreßkraft
clamping force F10...16 kN
Gewicht
weight Gtyp 250 g
Kriechstrecke
creepage distance 30 mm
Luftstrecke
air distance 20 mm
Feuchteklasse
humidity classification DIN 40040 C
Schwingfestigkeit
vibration resistance f = 50Hz 50 m/s2
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbidung mit den zugehörigen technischen Erläuterungen.
This technical Information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes.
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Vorläufige Daten
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3
Maßbild / Outline
26+-0.5
C
A
∅
58
+0.2/-0.8
∅
34
2 center holes
∅ 3.5 ×4.0
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4
On-State Characteristics ( v F )
upper limit of scatter range
25°C 160°C
0
200
400
600
800
1000
1200
1400
1600
00,5 11,5 22,5 33,5 44,5 5
VF / [V]
IF / [ A ]
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5
Transienter innerer Wärmewiderstand
Transient thermal impedance Z(th) JC = f (t)
doppelseitige
Kühlung
anodenseitige
Kühlung
Kühlung
r [K/W] [s] r [K/W] [s] r [K/W] [s]
10,0084 0,95 0,0314 3,7 0,0424 5
20,01 0,093 0,01 0,093 0,01 0,093
30,0049 0,024 0,0049 0,024 0,0049 0,024
40,0035 0,0047 0,0035 0,0047 0,0035 0,0047
50,0012 0,0016 0,0012 0,0016 0,0012 0,0016
0,028 -0,051 -0,062 -
-
0
,
0
0
5
0
,
0
0
5
0
,
0
1
5
0
,
0
2
5
0
,
0
3
5
0
,
0
4
5
0
,
0
5
5
0
,
0
6
5
0,001
0
,
0
1
0
,
1
1
1
0
1
0
0
t
/
[
s
e
c
.
]
Z
(
t
h
)
J
C
/
[
K
/
W
]
d
k
a
(
)
ZRe
thJC thn t
n
nn
=⋅−−
=
∑1
1
/
max τ
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6
Surge Current Characteristics I FSM = f ( tp )
I²t value i2 dt = f ( tp )
Sine half-wave, t vj =160 ° C , v R = 0
1,E+03
1,E+04
1,E+05
0,1 110 100
Time / [ms]
_____ IFSM / [A]
1,E+05
1,E+06
1,E+07
−−−−− ∫ i²dt / [A²s]