NPN SILICON TRANSISTOR, EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR NPN SILICIUM, PLANAR EPITAXIAL *BF 199 The BF 199 is intended for use in television video intermediate frequency amplifier, in particular for the output stage. Le BF 199 est dastin aux tages & gain fixe des amplifica- teurs & frquence intermdiaire vision en tlvision. Maximum power dissipation Dissipation de puissance maximale Prot (w) 0,2 oO 25 50 75 ok Preferred device Dispositif recommand VcEo 25 V Veso 40 V C120 0,32 pF Plastic case Boitier plastique F 139 B See outline drawing CB-76 on last pages Voir dessin cot CB-76 dernires pages Weight : 0,3 g. Masse Bottom view Vue de dessous c(2,2)8 E Collector is connected to case Le collecteur est reli au boitier ABSOLUTE RATINGS (LIMITING VALUES) T =4+25C (Untess otherwise stated) VALEURS LIMITES ABSOLUES D'UTILISATION amb (Sauf indications contraires) Collector-emitter voltage Tension collecteur-metteur Veeo 25 Vv Collector-emitter voltage Tension collecteur-metteur Voces 40 v Collector-base voltage Vogo 40 Vv Tension collecteur-base Emitter-base volta: Tension dmettour-base VeBo 4 Vv Collector current Courant collecteur lc 25 mA Base current Courant base 'B 2 mA Power dissipation Pp. Dissipation de puissance tot 300 mw Junction temperature T: Temprature de jonction max. J 125 c Storage temperature min T 65 c Temprature de stackage max. stg +125 c 75-46 1/5 THOMSON-CSF CAB SENOS TERE, 539 SespsemBF 199 STATIC CHARACTERISTICS CARACTERISTIQUES STATIQUES Tamb = 25C (Unless otherwise stated) (Saut indications contraires) Test conditions Conditions de mesure Min. Typ. Max. Collector-base cut-off current V =20 t A Courant rsiduel collecteur-base cBO V CBO | ' 100 a { | I Collector-base breakdown voltage le = 10HA Fy Tension de claquage collecteur-base lg =0 \ (BR)CBO 40 Vv Emitter-base breakdown voltage Ip = 10uA Vv Tension de claquage metteur-base le =0 (BRJEBO 4 : Vv \ 1 | Collector-emitter breakdown voltage Ic = 7mA Vv { 25 Vv Tension de claquage collecteur-metteur 'g 0 (BRICEO | Base-emitter voltage Vog= 10V v Tension base-6metteur Io = 7mA BE 0,75 Vv Static forward current transfer ratio Vog= 10V Valeur statique du rapport de transfert hoy E 40 i In = 7mA direct du courant Cc DYNAMIC CHARACTERISTICS (for small signals) CARACTERISTIQUES DYNAMIQUES (pour petits signaux) Veg= 10V Transition frequency In = 7mA f 550 MHz Frquence de transition c = 100 MHz T Feedback it Voe= 10V eedback capacitance Capacit de raction Io = 1mA C1960 0,32 pF f = 10,7 MHz 2/5 540BF 199 DYNAMIC CHARACTERISTICS (for small signals) CARACTERISTIQUES DYNAMIQUES (pour petits signaux) (Suite) (Following) Test conditions Min. Typ. Max. Conditions de mesure Inout duet, Vce= 10V nput conductance _ Conductance dentre 'e =7 mA S11e 5 ms f = 35 MHz Vce= 10 V Input capacitance Ip = 7mA Cite 40 pF Capacitance dentre f = 35 MHz Vce= 10V Reverse transfer admittance Ip =7mA IY, 20! 65 uS Admittance de transfert inverse f = 35 MHz Phase angle of transfer admitt Woes 10V jase angie of transter aamittance _ -y Angle de phase de Iadmittance inverse le = 7mA 12e 95 f = 35 MHz VoE= 10V Transfer admittance Ie = -7mA Yate 170 ms Admittance de transfert f = 35 MHz Phase angle of transfer admittance Vce= 10Vv Angle de phase de l'admittance de ip =-7mA ote 25 transfert ft = 35 MHz Output conduct Voe= 10V utput conductance = Conductance de sortie le =7 mA 922e 80 BS f = 35MHz 0 | Voe= 10V c utput capacitance _ Capacitance de sortie 'e = 77 mA 22e 14 pF f = 35 MHz THERMAL CHARACTERISTICS CARACTERISTIQUES THERMIQUES Rsistance thermique {jonction- ambiante) Renti-ad 330 C/W Junction-ambient thermal resistance 3/5 541BF 199 STATIC CHARACTERISTICS CARACTERISTIQUES STATIQUES 10! 72 46852 468 ,2 468 10 10 10 Ig (ma) DYNAMIC CHARACTERISTICS (for small signals) CARACTERISTIQUES DYNAMIQUES (pour petits signaux} fe 107 Va4l 10 (MHz) @ff =100 MHz man) bP =38 6tVac=10V 4 2 4 628 10 2 #468 2 468 42 468, 2 468, 2 468 Ip (mA) 10 10 10 te(ma) 4/5 542BF 199 DYNAMIC CHARACTERISTICS (for small signals) CARACTERISTIQUES DYNAMIQUES (pour petits signaux) SE (mS) 4=35 MHz 68 10 10 <1, (ma) 922 (mS) 8 #=35 MHz 2 4 68 10 I_ (ma) Cite (pF) 8 10 1 10 10 Ie(ma) Co2e (pF) f=35MHz V 5 f y 4 / [ VY / 2eV E =1V. vv =) V mbes LT L- cE y Vag =BV | 4 a Vog =10V 10 | 42 4 68, 2 4 68 10 .10 I,(ma) 5/5 543