SFH 213
SFH 213 FA
Silizium-PIN-Fotodiode mit sehr kurzer Schaltzeit
Silicon PIN Photodiode with Very Short Switching Time
SFH 213 SFH 213 FA
2000-01-01 1
Wesentliche Merkmale
• Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich
von 400 nm bis 1100 nm (SFH 213) und bei
880 nm (SFH 213 FA)
• Kurze Schaltzeit (typ. 5 ns)
• 5 mm-Plastikbauform im LED-Gehäuse
• Auch gegurtet lieferbar
Anwendungen
• Industrieelektronik
• „Messen/Steuern/Regeln“
• Schnelle Lichtschranken für Gleich- und
Wechsellichtbetrieb
• LWL
Typ
Type Bestellnummer
Ordering Code
SFH 213 Q62702-P930
SFH 213 FA Q62702-P1671
Features
• Especially suitable for applications from
400 nm to 1100 nm (SFH 213) and of 880 nm
(SFH 213 FA)
• Short switching time (typ. 5 ns)
• 5 mm LED plastic package
• Also available on tape and reel
Applications
• Industrial electronics
• For control and drive circuits
• Photointerrupters
• Fiber optic transmission systems
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SFH 213, SFH 213 FA
Grenzwerte
Maximum Ratings
Bezeichnung
Parameter Symbol
Symbol Wert
Value Einheit
Unit
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range Top;Tstg – 40 … + 100 °C
Löttemperatur (Lötstelle 2 mm vom Gehäuse
entfernt bei Lötzeit t≤ 3 s)
Soldering temperature in 2 mm distance from case
bottom (t≤ 3 s)
TS300 °C
Sperrspannung
Reverse voltage VR50 V
Verlustleistung
Total power dissipation Ptot 100 mW
Kennwerte (TA = 25 °C)
Characteristics
Bezeichnung
Parameter Symbol
Symbol Wert
Value Einheit
Unit
SFH 213 SFH 213 FA
Fotostrom
Photocurrent
VR = 5 V, Normlicht/standard light A,
T = 2856 K, EV = 1000 lx
VR = 5 V, λ = 870 nm, Ee = 1 mW/cm2
IP
IP
135 (≥ 100)
–
–
90 (≥ 65)
µA
µA
Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit
Wavelength of max. sensitivity λS max 850 900 nm
Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit
S = 10% von Smax
Spectral range of sensitivity
S = 10% of Smax
λ400 …1100 750 … 1100 nm
Bestrahlungsempfindliche Fläche
Radiant sensitive area A11 mm
2
Abmessung der bestrahlungsempfindlichen Fläche
Dimensions of radiant sensitive area L×B
L×W1×11×1mm×mm
Abstand Chipoberfläche zu Gehäuseoberfläche
Distance chip front to case surface H5.1 … 5.7 5.1 … 5.7 mm
Halbwinkel
Half angle ϕ±10 ±10 Grad
deg.
SFH 213, SFH 213 FA
2000-01-01 3
Dunkelstrom, VR = 20 V
Dark current IR1 (≤ 5) 1 (≤ 5) nA
Spektrale Fotoempfindlichkeit, λ = 870 nm
Spectral sensitivity Sλ0.62 0.59 A/W
Quantenausbeute, λ = 870 nm
Quantum yield η0.89 0.86 Electrons
Photon
Leerlaufspannung
Open-circuit voltage
Ev = 1000 Ix, Normlicht/standard light A,
T= 2856 K
Ee = 0.5 mW/cm2,λ = 870 nm
VO
VO
430 (≥ 350)
–
–
380 (≥ 300)
mV
mV
Kurzschlußstrom
Short-circuit current
Ev = 1000 Ix, Normlicht/standard light A,
T= 2856 K
Ee = 0.5 mW/cm2,λ = 870 nm
ISC
ISC
125
–
–
42
µA
µA
Anstiegs- und Abfallzeit des Fotostromes
Rise and fall time of the photocurrent
RL = 50 Ω; VR= 20 V; λ = 850 nm; Ip = 800 µA
tr,tf55 ns
Durchlaßspannung, IF= 80 mA, E = 0
Forward voltage VF1.3 1.3 V
Kapazität, VR= 0 V, f= 1 MHz, E = 0
Capacitance C011 11 pF
Temperaturkoeffizient von VO
Temperature coefficient of VO
TCV– 2.6 – 2.6 mV/K
Temperaturkoeffizient von ISC
Temperature coefficient of ISC
Normlicht/standard light A
λ = 870 nm
TCI
0.18
––
0.2
%/K
Rauschäquivalente Strahlungsleistung
Noise equivalent power
VR= 10 V, λ = 870 nm
NEP 2.9 ×10– 14 2.9 ×10– 14
Nachweisgrenze, VR= 20 V, λ = 870 nm
Detection limit D* 3.5 ×1012 3.5 ×1012
Kennwerte (TA = 25 °C)
Characteristics (cont’d)
Bezeichnung
Parameter Symbol
Symbol Wert
Value Einheit
Unit
SFH 213 SFH 213 FA
W
Hz
------------
cm Hz×
W
--------------------------
SFH 213, SFH 213 FA
2000-01-01 4
Relative Spectral Sensitivity
SFH 213, Srel = f (λ)
Photocurrent IP = f (Ee), VR = 5 V
Open-Circuit Voltage VO = f (Ee)
SFH 213 FA
Directional Characteristics
Srel = f (ϕ)
λ
OHF01034
0
rel
S
400 600 800 1000 1200
20
40
60
80
%
100
nm
Relative Spectral Sensitivity
SFH 213 FA, Srel = f (λ)
Total Power Dissipation
Ptot = f (TA)
λ
OHF01773
0
rel
S
400 600 800 1000 1200
20
40
60
80
%
100
nm
OHR00883
0
F
I
0
20
40
60
80
100
120
20 40 60 80 100 120
mA
˚C
T
A
R
thjA
= 450 K/W
Photocurrent IP = f (Ev), VR = 5 V
Open-Circuit Voltage VO = f (Ev)
SFH 213
Dark Current
IR = f (VR), E = 0
V
OHF01026
R
R
Ι
0
4
10
3
10
2
10
10
1
pA
20 V 3010
SFH 213, SFH 213 FA
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Maßzeichnung
Package Outlines
Maße werden wie folgt angegeben: mm (inch) / Dimensions are specified as follows: mm (inch).
Cathode (Diode)
GEXY6260
Collector (Transistor)
5.7 (0.224)
5.1 (0.201)
1.8 (0.071)
1.2 (0.047) Chip position
Cathode
5.9 (0.232)
5.5 (0.217)
0.6 (0.024)
0.4 (0.016)
0.6 (0.024)
0.4 (0.016)
spacing
2.54 (0.100)
0.8 (0.031)
0.5 (0.020)
29 (1.142)
27 (1.063)
9.0 (0.354)
8.2 (0.323)
7.5 (0.295)
7.8 (0.307)
Area not flat
ø4.8 (0.189)
ø5.1 (0.201)
