MPSA42 / MPSA43
MPSA42 / MPSA43
NPN High voltage Si-epitaxial planar transistors
Hochspannungs-Si-Epitaxial Planar-Transistoren NPN
Version 2005-06-17
Dimensions / Maße [mm]
Power dissipation
Verlustleistung
625 mW
Plastic case
Kunststoffgehäuse
TO-92
(10D3)
Weight approx.
Gewicht ca.
0.18 g
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
Standard packaging taped in ammo pack
Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack
Maximum ratings (TA = 25°C) Grenzwerte (TA = 25°C)
MPSA42 MPSA43
Collector-Emitter-volt. - Kollektor-Emitter-Spannung B open VCEO 300 V 200 V
Collector-Base-voltage - Kollektor-Basis-Spannung E open VCBO 300 V 200 V
Emitter-Base-voltage - Emitter-Basis-Spannung C open VEBO 6 V
Power dissipation – Verlustleistung Ptot 625 mW 1)
Collector current – Kollektorstrom (dc) IC500 mA
Base current – Basisstrom IB100 mA
Junction temperature – Sperrschichttemperatur Tj-65...+150°C
Storage temperature – Lagerungstemperatur TS-65…+150°C
Charact eris tics (T j = 25°C) Kennwerte (Tj = 25°C)
Min. Typ. Max.
Collector-Base cutoff current – Kollektorreststrom
IE = 0, VCB = 200 V
IE = 0, VCB = 160 V
MPSA42
MPSA43
ICB0
ICB0
–
–
–
–
100 nA
100 nA
Emitter-Base cutoff current – Emitterreststrom
IB = 0, VEB = 6 V
IB = 0, VEB = 4 V
MPSA42
MPSA43
IEB0
IEB0
–
–
–
–
100 nA
100 nA
Collector saturation voltage – Kollektor-Sättigungsspannung 2)
IC = 20 mA, IB = 2 mA MPSA42
MPSA43
VCEsat
VCEsat
–
–
–
–
500 mV
400 mV
1 Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 2 mm from the case
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 2 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
2 Tested with pulses tp = 300 µs, duty cycle ≤ 2% – Gemessen mit Impulsen tp = 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2%
© Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1
16
18
9
2 x 2.54
EBC
MPSA42 / MPSA43
Charact eris tics (T j = 25°C) Kennwerte (Tj = 25°C)
Min. Typ. Max.
Base saturation voltage – Basis-Sättigungsspannung 1)
IC = 20 mA, IB = 2 mA VBEsat – – 0.9 V
DC current gain – Kollektor-Basis-Stromverhältnis
VCE = 10 V, IC = 1 mA
VCE = 10 V, IC = 10 mA
VCE = 10 V, IC = 30 mA
hFE
hFE
hFE
25
40
40
–
–
–
–
–
–
Gain-Bandwidth Product – Transitfrequenz
VCE = 20 V, IC = 10 mA, f = 100 MHz fT50 MHz – –
Collector-Base Capacitance – Kollektor-Basis-Kapazität
VCB = 20 V, IE = ie = 0, f = 1 MHz MPSA42
MPSA43
CCB0
CCB0
–
–
–
–
3 pF
4 pF
Thermal resistance junction – ambient air
Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft RthA < 200 K/W 2)
Recommended complementary PNP transistors
Empfohlene komplementäre PNP-Transistoren MPSA92, MPSA93
1 Tested with pulses tp = 300 µs, duty cycle ≤ 2% – Gemessen mit Impulsen tp = 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2%
2 Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 2 mm from the case
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 2 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
2http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG
[%]
P
tot
120
100
80
60
40
20
0
[°C]
T
A
150100
50
0
Power dissipation versus ambient temperature )
Verlustleistung in Abh. von d. Umgebungstemp. )
1
1
