BAT46W
BAT46W
Surface Mount Schottky Barrier Diodes
Schottky-Barrier-Dioden für die Oberflächenmontage
Version 2012-07-31
Dimensions - Maße [mm]
Power dissipation – Verlustleistung 200 mW
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
100 V
Plastic case – Kunststoffgehäuse SOD-123
Weight approx. – Gewicht ca. 0.01 g
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
Standard packaging taped and reeled
Standard Lieferform gegurtet auf Rolle
Maximum ratings (TA = 25°C) Grenzwerte (TA = 25°C)
BAT46W
Power dissipation − Verlustleistung Ptot 200 mW 1)
Max. average forward current – Dauergrenzstrom (dc) IFAV 150 mA 1)
Repetitive peak forward current – Periodischer Spitzenstrom IFRM 350 mA 1)
Non repetitive peak forward surge current
Stoßstrom-Grenzwert
tp ≤ 10 ms IFSM 750 mA
Repetitive peak reverse voltage – Periodische Spitzensperrspannung VRRM 100 V
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
Tj
TS
-55...+125°C
-55…+150°C
Characteristics (Tj = 25°C) Kennwerte (Tj = 25°C)
Forward voltage
Durchlass-Spannung
IF = 0.1 mA
IF = 10 mA
IF = 250 mA
VF
VF
VF
< 0.25 V
< 0.45 V
< 1 V
Leakage current – Sperrstrom 2) VR = 1.5 V
VR = 10 V
VR = 50 V
VR = 75 V
IR
IR
IR
IR
< 0.5 µA
< 0.8 µA
< 2 µA
< 5 µA
Leakage current – Sperrstrom 2) Tj = 60°C VR = 1.5 V
VR = 10 V
VR = 50 V
VR = 75 V
IR
IR
IR
IR
< 5 µA
< 7.5 µA
< 15 µA
< 20 µA
Total capacitance
Gesamtkapazität
f = 1 Mhz VR = 0 V
VR = 1 V
CT
CT
typ. 20 pF
typ. 12 pF
Thermal resistance junction to ambient air
Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft RthA < 420 K/W 1)
1 Mounted on P.C. board with 3 mm2 copper pad at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 3 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss
2 Tested with pulses tp = 300 µs, duty cycle ≤ 2% – Gemessen mit Impulsen tp = 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2%
© Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1
1 . 6
±0. 1
0.6
±0.1
1 .1
±0 .1
3.8
±0.2
Type
Code
2.7
±0.1
0 .1 2
BAT46W
Marking – Stempelung BAT46W = XH
2http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG
120
100
80
60
40
20
0
[%]
I
FAV
Rated forward current versus ambient temperature )
Zul. Richtstrom in Abh. von der Umgebungstemp. )
1
1
[°C]
T
A
150100
50
0
Forward characteristics (typical values)
Durchlasskennlinien (typische Werte)
V
F
[V] 1.41.00.80.60.40
[A]
I
F
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
1
T = 25°C
j
T = 125°C
j
