NPN SILICON TRANSISTOR, TRIPLE DIFFUSED *BUX 10 TRANSISTOR SILICIUM NPN, TRIPLE DIFFUSE Preferred device Dispositif recommand - High speed, high current, high power transistor Transistor de puissance rapide, fort courant Vv CEO 125V - Thermal fatigue inspection lc 254 Contr6l en fatigue thermique Prot 150 W - Switching and amplifier transistor Transistor damplification et de commutation i Rth(j-c) < 1,17C/W VCE sat (20 A) <1,2V te (20 A) <0,3 us issipati i Case TO-3 See outline drawing CB-19 on last pages Dissipation and Is/ B derating Boftier Voir dessin cot CB-19 dernires pages Variation de dissipation et de Ig 7g 100 % \ 7s N N Se 50 Da 30% Bottom view 8 28 Vue de dessous o Weight : 14,4 g. Collector is connected to case 50 100 180 tease(C) Masse Le collecteur est reli au boitier ABSOLUTE RATINGS (LIMITING VALUES) t = 25C (Unless otherwise stated) VALEURS LIMITES ABSOLUES DUTILISATION case {Sauf indications contraires) Collector-base voltage Vv Tension collecteur-base CBO 160 Vv Collector-emitter voltage V, Tension collectaur-metteur CEO 425 Vv Collector-emitter voltage Roe = 1002 Vv Tension collecteur-metteur BE CER 180 v Collector-emitter voltage Vee =-15V Vv Tension collecteur-metteur BE CEX 160 v Emitter-base voltage Veso 7 Vv Tension metteur-base Collector current 1 Courant collecteur c 25 A Peak collector current = ( Courant de crte de callecteur = 10 ms cM 30 A Base current I Caurant base B 5 A Power dissipation _ Pp. Dissipation de puissance Tease = 26C tot 180 w Junction temperature t: Temprature de jonction max J 200 C Storage temperature min tet 65 c Temprature de stockage max +200 C 73-12 V8 THOMSON - CSF cmon seaconettue, 655*BUX 10 STATIC CHARACTERISTICS t = 25C (Unless otherwise stated) CARACTERISTIQUES STATIQUES case (Sauf indications contraires} | Test conditions ; Conditions de mesure Min. Typ. Max. Collector-emitter cut-off current Veg = 100 lcEO 18 mA Courant rsiduel collecteur-metteur pg =0 " Vee = 160 V CE Veg = ~15V 15 mA Collector-emitter cut-off current loex Courant rsiduel codlecteur-metteur Voce = 160V VBE =-15V 6 mA toase = 125C nee . Veg =5V Emitter-base cut-off current EB t Courant rsiduel metteur-base Ic =9 EBO 1 mA io = 200 mA Collector-emitter breakdown voltage | = Vv Tension de claquage collecteur-metteur 2 =25mH CEO(sus} 125 Vv (fig. 1) Emitter-base breakdown voltage lp =50mA ViBRIEBO 7 Vv Tension de claquage metteur-base Io = Veep =2V CE lo = i0A 20 60 Static forward current transfer ratio * Valeur statique du rapport de transfert hoy E direct du courant Vv cE 4yv Ig =20A 10 ic = 0A 03 06 v Ip =i A : A Collector-emitter saturation voitage VoEsat * Tension de saturation collecteur-metteur to =20A Ig =2A 0,7 1,2 Vv . I =20A * Base-emitter saturation voltage c Vv Tension de saturation bese-metteur Ip =2A BEsat 15 2 v Ver = 48V Second breakdown collector current Is7p Courant collecteur de secand clsquage Vee =30V t =1s 5 A * Pulsed tp = 300us 5 <2% imputsions 2/8 656*BUX 10 DYNAMIC CHARACTERISTICS (for small signals) CARACTERISTIQUES DYNAMIQUES (pour petits signaux) (Uniess otherwise stated) (Sauf indications contraires} Rsistance thermique {jonction-boitier! Test conditions . Conditions de mesure Min. Typ. Max. Transi f Vop = 15 ransition frequency = f- Frquence de transition Ic =A T MHz f = 10 MHz : | = 20A Turn-on time . c ty+t Temps total dtablissement (fig. 2) tg, = 2A qr i 15 us lo =20A Fall time = t Temps de dcroissance (fig. 2) p14 2A f 0,15 0,3 us lag =-2A lq =20A Carrier storage time - t =2A Retard a la dcroissance (fig. 2) B1 t, 06 1,2 us tBo = -2A THERMAL CHARACTERISTICS CARACTERISTIQUES THERMIQUES Junction-case thermal resistance Rentj-c | 117 OCW Pulsed test : THERMAL FATIGUE INSPECTION Mounting silicon chip on a molybdenum header bounds mechanical constraints and provides maximum insurance against thermal fatigue. 10 000 cycles on : 2 minutes (0> 70 W) off + Iminute (70> QW) CONTROLE EN FATIQUE THERMIQUE les Contrdle cyclique : tease = 125C max Atcase= 110C max support en molybdne limite Le montage de /a pastille surun mum de garantie contre la fatigue thermique. au is un maxi- 3/8 667*BUX 10 SAFE OPERATING AREA Aira de fonctionnement de scurit (A) 50 20 a6 0,2 0,1 1 2 5 10 20 50 100 200 500 VogIvi 4/8 658* BUX 10 TEST CIRCUIT MONTAGE DE TEST 50 Hz Voeotsus) (fig. 1) horizontal horizontal test transistor transistor en test L=25 mH [ vertical vertical @) Ve (mA) + Vceo!V) CEO 12 ' iW Lt >50V 1 common Rg = 100 2 or Ov leommun eet a rg Note : The sustaining voltage VCEQ is acceptable when the trace falls to the right and above point A. Les tensions Voge sont acceptables lorsque fa trace passe au-dela du point A. SWITCHING TIMES TEST CIRCUITS (and oscillograms) (fig. 2) CIRCUITS DE MESURE DES TEMPS DE COMMUTATION (et oscillogrammes) t Vcc + >> bio! uF s 3 ley es 3g et 33 Igo i a ~ = 30V = 1,52 90 % = 3,32 Bs B3h 3 + ___10 % g et Rc - Rg : non inductive resistances 2 g Sattler ts * tp : Pulse width = 10 us &e t on-_le t ott Forme factor < 1 % Rise and falltime <S5Ons Ig1 and Igg mesured with Tektronix probe Rc-Rg_: rsistances non inductives. P 6021 and Amplifier type 134 tp : Largeurdimpulsion = 10 us /g1 et [go sont mesucds avec une sonde Tektronix Facteur de forme <1% P 6021 et Amplificateur type 134 Temps de monte et descente <50 ns 5/8 659*BUX 10 TYPICAL CHARACTERISTICS CARACTERISTIQUES TYPIQUES COLLECTOR CURRENT VERSUS COLLECTOR- EMITTER VOLTAGE Courant collecteur en fonction de fa tension 0 1 2 3 4 Vogt) COLLECTOR EMITTER VOLTAGE VERSUS BASE-EMITTER RESISTANCE(minimum value) Tension collecteur-metteur en fonction de la Voce rsistance base-metteur (valeur minimum} (Vv) = 160 150 140 130 120 2 468 2 468 10! 102 10 4 Rge() COLLECTOR CURRENT VERSUS COLLECTOR. EMITTER VOLTAGE | Courant collecteur en fonction de la tensian coliecteur-metteur c (A) 1,6 1,2 08 0,4 0 t0 2 30 40 viv STATIC FORWARD CURRENT TRANSFER RATIO VERSUS COLLECTOR CURRENT Valeur statique du rapport de transfert direct du courarit en fonction du courant collecteur Pore [Veg =4V ro} | oar SN 100 | 80 j a, eM 60r 4 A \\ 40 20 Xs 0 10 2 4 680 z 468, 204 Wal 6/8 660*BUX 10 TYPICAL CHARACTERISTICS CARACTERISTIQUES TYPIQUES BASE CURRENT VERSUS BASE-EMITTER VOLTAGE Courant base en fonction de Ia tension base- 'g metteur =4V 10! an 10 0 04 O8 1,2 1,6 Vg-iv) COLLECTOR-EMITTER SATURATION VOLTAGE VERSUS COLLECTOR CURRENT Tension de saturation collecteur-metteur en Voce fonction du courant collecteur = 10 101 2 4 640 2 4 $40! 2 4 Iga) COLLECTOR CURRENT VERSUS BASE EMITTER VOLTAGE Courant collecteur en fonction de fa tension I c base-metteur cE 0 04 O8 12 16 Vpelv) BASE-EMITTER SATURATION VOLTAGE VERSUS COLLECTOR CURRENT Tension de saturation base-metteur en VBE satfonction du courant (v) f= 10 gs 0,8 0,4 2 468 ,2 4 10! IgA) 748 661*BUX 10 TYPICAL CHARACTERISTICS CARACTERISTIQUES TYPIQUES OUTPUT CAPACITANCE VERSUS COLLECTOR-BASE VOLTAGE Capacit de sortie en fonction de ja tension Coa (pF) 8 7 6 2 468 2 4 Vag lV} 10 10 ce SWITCHING TIMES VERSUS COLLECTOR CURRENT Temps de commutation en fonction du courant collecteur t (us) fi Veg = 30V BC _ ig ce 10 6 10 14 18 221,14) TRANSITION FREQUENCY VERSUS COLLECTOR CURRENT Frquence de transition en fonction du f courant collecteur (MHz}| tease = 28C Veg =15V 15 10 N 2 10! 10 lo (A) TRANSIENT THERMAL RESISTANCE DERATING FACTOR UNDER PULSES CONDITIONS Facteur de rduction de ja rsistance thermique en 10? 108 io 403? 402? ig? tole! 8/8 662