BCW 61 BCX 71 PNP-Transistoren fur NF-Vorstufen und Schalteranwendung BCW 61 und BCX 71 sind epitaktische PNP-Silizium-Planar-Transistoren mit Plastikum- hillung 23 A 3 DIN 41869 (SOT-23) fiir NF-Vorstufen und Schalteranwendungen, Sie eignen sich besonders fir Dick- und Dinnfilmschaltungen. Beide Typen BCW 61 und BCX 71 werden durch den Buchstaben ,,B gekennzeichnet, der danebenstehende Buch- stabe (A, B, C oder D fir den Typ BCW 61 und G, H, J oder K fiir den Typ BCX 71) gibt die jeweilige Stromverstarkung des Transistors an. Die Komplementartransistoren dazu sind BCW 60 und BCX 70, Typ Stempel | Bestellnummer 1005 +008 BCW 61 A/BA Q62702-C335 eT ge _ Qytoms BCW 61 B | BB Q62702-C336 Boek BCW 61 C/BC Q62702-C337 8 BCW 61 0;BD Q62702-C338 cht le BCX 71 G |BG Q62702-C427 oueons |~ ay.025 BCX 71H | BH 0Q62702-C428 be 3.5 12-099 BCX 71 J | BJ Q62702-C429 . BCX 71K | BK 062702-C430 Gewicht etwa 0,02 g MaBe in mm Grenzdaten BCW 61 BCX 71 Kollektor-Emitter-Spannung Uces 32 45 Vv Kollektor-Emitter-Spannung -Ucto 32 45 Vv Emitter-Basis-Spannung UeEpo 5 5 Vv Kollektorstrom -Ic 200 200 mA Basisstrom -Ip 50 50 mA Sperrschichttemperatur T; 150 150 C Lagertemperatur T. -55 bis +125 | ~55 bis +125 | C Gesamtverlustleistung (Ty = 45C) auf Glassubstrat (7*7x*1 mm) Prot 1501) 150') mw Warmewiderstand Glassubstrat (7*7*1 mm) Rinsu s 700 <= 700 K/W Keramik (830x121 mm) Renau = 450 <= 450 K/W Glasfaser (30x 12*1,5 mm) Rinsu ss 450 SS 450 K/W 1) Die zulassige Gesamtverlustleistung ist durch den jeweiligen einbaubedingten Warmewiderstand gegeben, mit Pay) = hi oe 151BCW 61 BCX 71 Statische Kenndaten (7y = 25C) Die Transistoren werden nach der statischen Stromverstarkung B gruppiert und mit Buch- staben gekennzeichnet. B-Gruppe fir BCW 61 A B c D BCW 61 fir BCX 71 G H J K BCX 71 Uce -Ic B 8 B B Use V mA Ic/Ip Ic/Is Ic/Ip Ic/Ip Vv 5 0,01 140 200 (> 30) 270 (> 40) 340 (> 100) | 0,55 5 2 170 250 350 500 0,65 (120 bis 220) *| (140 bis 310)* | (250 bis 460) * | (380 bis 630) * (0,6 bis 0,75) * 1 50 > 60 > 80 > 100 > 110 0,72 Sattigungsspannungen Ucesat (V) | Usesat (V) -I = 10 mA; -Ig = 0,25 mA -Ic = 50 mA; J7, = 1,25 mA 0,12 (0,06 bis 0,25) 0,25 (3,12 bis 0,55) | 0,7 (0,6 bis 0,85) 0,8 (0,68 bis 1,05) | BCW 61 | BCX 71 | Kollektor-Emitter-Reststrom (-Uces = 32 V) (-Uces = 45 V) Kollektor-Emitter-Reststrom (-Uces = 32 V; Ty = 150C) (~Uces = 45 V; Ty = 150C) Emitter- Basis-Reststrom Kollektor-Emitter- Durchbruchspannung (-Icto = 2 mA) Emitter- Basis- Durchbruchspannung (Iego = 1 A) *) AQL = 0,65% 152 ~Ices Ices ~Icts Ices Tepo ~Uvsryceo Uveryeso < 20 < 20 < 20 > 32 >5 < 20 < 20 < 20 > 45 >5 nA* nA* pA nA* vtBCW 61 BCX 71 Dynamische Kenndaten (7, = 25C) BCW 61 | BCX71 | Transitfrequenz (J = 10 mA; ~Uce = 5 V; f = 100 MHz) a 180 180 MHz Kollektor-Basis-Kapazitat (~Uego = 10 Vi f= 1 MHz) Ceso <6 <6 pF Emitter-Basis-Kapazitat (-Usgo = 0,5 V; f = 1 MHz) CeBo 11 11 pF Rauschmaf (J = 0,2 mA); Uce =5V; Re =2 kQ; f = 1 kHz; Af = 200 Hz) F 2 (< 6) 2 (< 6) dB Vierpoldaten: (Jo = 2 mA; Uce = 5 V; f= 1 kHz) B-Gruppe | A; G | B:H | C; J | D;K | Aare 2,7 3,6 4,5 7,5 KQ (1,6 bis 4,5) (2,5 bis 6) (3,2 bis 8,5) (4,5 bis 12) Ay26 1,5 2 2 3 10-4 hare 200 260 330 520 _ | (125 bis 250) (175 bis 350) (250 bis 500) (350 bis 700) haze 18 (< 30) 24 (< 50) 30 (< 60) 50 (< 100) us Schaltzeiten: Arbeitspunkt: Tei-Teyiips 10:1:1mMA; AR, =5kQ; A. =5kQ; Ugg = 3,6; Ry = 9900 ty 35 ns t, 400 ns t. 50 ns t 80 ns tein 85 (< 150) ns taus 480 (< 800) ns Me8schaltung fir Schaltzeiten +UBR -10V (Ugg) Tus oT Pav 1, <6n8 sz s r<001 r R=502 Je BAYES Ze2 WOKQ, 153BCW 61 BCX 71 Temperaturabhangigkeit der zulassigen Gesamtverlustleistung Prot =f (Tu) mw wry TItTTT Tr tri i [| 1=Glassubstrat 7x7~1mm | [)> 2=Keramiksubstrat 30*12<1mm 7] [7 $= Glasfasersubstrat 30x12 1.5mm 7} 160 Prot \ \ f EECCEBRSTREETE \ 100 4 ana NA \ , \ C Nb N % 50 700 160C why Abhangigkeit der Warmewider- standes von der Substratflache K Aunsu = f(F) W 103 oN Arnau NWN 6 WN y ; P12 1=Glassubstrat 1mm TT 2=Keramiksubstrat Imm 3=Glasfasersubstrat 1.5mm 2 10 10! 5 10 5 10 mme Zulassige Impulsbelastbarkeit fiir Glassubstrat 7x71 mm 4 Trnue = f(t); v = Parameter ity 5-05 2 Snap Oe 5 10! p=0 5 ft t Py o| | Pr 10 4 = Le 5 10" oe we we we w? 107 10% } Zulassige Impulsbelastbarkeit fir Keramiksubstrat 30*12*1,5mm Vv Renae = f(t); = Parameter 103BCW 61 BCX 71 Stromverstarkung & = f (Ic) Uce = 1V; Ty = Parameter BCW 61 BCX 71 10 5 10 10! 5 Nittelwerte Streuwerte bei 7y-25C 10 we 517 51 510! e le Stromverstarkung & = f (Jc) Uce = 1V; Ty = Parameter BCW 61 BCX 71 10 ih) 5 Nittelwerte Streuwerte bei 7y+25C 10 we 510t) eo 6 Ot Ig A G 5 10mA c J 5 10mA Stromverstarkung B = f (Ic) Uce = 1 Vi Ty = Parameter BcwW6l B BCX71 H 103 5 B 4 ' 40e 5 10! 5 Mittelwerte Streuwerte bei 7-25C 10? we sit 5s 5 5 ema __ le Stromverstarkung B = f (Ic) Uce = 1V; Ty = Parameter 10 5 B te 5 1g! . Mittelwerte Streuwert bei 725C 10 ; wo? 507 520? 510 5 10m ly 155BCW 61 BCX 71 Ausggangskennlinien I, = f (Ucr) Ig = Parameter -lo Ausgangskennlinien J, = f (Uce) Ig = Parameter 0 10 20V + Ugg 156 Ausgangskennlinien J, = f (Uc) Use = Parameter mA 10 Vee Ausgangskennlinien Jo = f (U;) I, = Parameter mA 10 0 1 2 3 & BV e UbeBCW 61 BCX 71 Ausgangskennlinien J, = f (Ucz) Tg = Parameter uA 1000 A ly t 800 600 #00 200 0 1 2 38 & 8V Ue Eingangskennlinien J, = f (Ug_) A Uce = 5 Vi Ty = 25C 10 -lg 5 10 10 > Ugg Ausgangskennlinien Jc = f (Uce) Use = Parameter Ue Temperaturabhangigkeit der Reststromes Ices =/ (Ty) nA fir maximal zulassige Sper. :pannung 0 Irs f 10' 103 102 10" Nittelwert Streuwert 10 10" 0 50 100 150C e ly 157BCW 61 BCX 71 Sattigungsspannung Ucesat = f (Ic) = 40; 7, = Parameter ma 1 5 -lo 19! 5 109 Nittelwerte Streuwerte bei 4y 5 01 0 60) 662 0603) Ok OSC * Ueesat Kollektorstrom / = f (Use) ce = 1V; Ty = Parameter 102 5 t A 10! Mittelwerte wE- Stewarts ei 5 Ww ~ Vee 158 Sattigungsspannung Usecar = f (Ic) B = 40; Ty = Parameter mA 102 Miftelwerte 5 > - Streuwerte bei 7y=25C lg 1! 5 10 5 01 0 02 Of O8 oO8 10 12V > Usesat Transitfrequenz fy = f (Ic) Ty = 25C MHz 103 5 fr 10! 01 5 100 5 10 B 10mA > IpBCW 61 BCX 71 Stromabhangigkeit der h-Parameter H. = he Ue) = f (Io) - he (ie =2mA) 0 5 1 5 10'mA Kollektor-Basis-Kapazitat Ccao =f (Uceo) oe Cmtter (ysis Kapazitat f= 1 MHz; Ty = 25C pF 6 org0 (Crag) 10 107 5 10 5 lv > Uopos(-Usgo? Spannungsabhangigkeit der h-Parameter Hy, = he Uce) Fre Woe = BV) * Wee) 20 He Ig=2mA 19 0,5 Ue 159