BAS31, BAS35
BAS31, BAS35
Surface Mount Small Signal Dual Diodes
Kleinsignal-Doppel-Dioden für die Oberflächenmontage
Version 2011-10-11
Dimensions - Maße [mm]
Power dissipation – Verlustleistung 350 mW
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
120 V
Plastic case
Kunststoffgehäuse
SOT-23
(TO-236)
Weight approx. – Gewicht ca. 0.01 g
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
Standard packaging taped and reeled
Standard Lieferform gegurtet auf Rolle
Maximum ratings (TA = 25°C) Grenzwerte (TA = 25°C)
per diode / pro Diode BAS31, BAS35
Power dissipation – Verlustleistung 1) Ptot 350 mW 2)
Max. average forward current (dc)
Dauergrenzstrom
IFAV 200 mA 2)
Repetitive peak forward current
Periodischer Spitzenstrom
IFRM 600 mA 2)
Non repetitive peak forward surge current
Stoßstrom-Grenzwert
tp ≤ 1 s
tp ≤ 1 µs
IFSM
IFSM
1 A
2 A
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
VRRM 120 V
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
Tj
TS
-55...+150°C
-55...+150°C
Characteristics (Tj = 25°C) Kennwerte (Tj = 25°C)
Forward voltage 3)
Durchlass-Spannung 3)
IF = 10 mA
IF = 50 mA
IF = 100 mA
IF = 200 mA
IF = 400 mA
VF
VF
VF
VF
VF
< 750 mV
< 840 mV
< 900 mV
< 1.00 V
< 1.25 V
Leakage current
Sperrstrom
Tj = 25°C
Tj = 150°C
VR = 90 V IR< 100 nA
VR = 90 V IR< 100 µA
1 Total power dissipation of both diodes − Summe der Verlustleistungen beider Dioden
2 Mounted on P.C. board with 3 mm2 copper pad at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 3 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss
3 Tested with pulses tp = 300 µs, duty cycle ≤ 2% – Gemessen mit Impulsen tp = 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2%
© Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1
2.5
max
1.3
±0.1
1.1
2.9
±0.1
0.4
12
3
Type
Code
1.9
BAS31, BAS35
Characteristics (Tj = 25°C) Kennwerte (Tj = 25°C)
Max. junction capacitance – Max. Sperrschichtkapazität
VR = 0 V, f = 1 MHz
CT35 pF
Reverse recovery time – Sperrverzug
IF = 10 mA über/through IR = 10 mA bis/to IR = 1 mA
trr < 50 ns
Thermal resistance junction to ambient air
Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft
RthA < 400 K/W 1)
Outline – Gehäuse Pinning – Anschlussbelegung Marking – Stempelung
Dual diode, series connection
Doppeldiode, Reihenschaltung
1 = A1 2 = K2 3 = K1/A2
BAS31 = L21
Dual diode, common anode
Doppeldiode, gemeinsame Anode
1 = K1 2 = K2 3 = A1/A2
BAS35 = L22
1 Mounted on P.C. board with 3 mm2 copper pad at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 3 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss
2http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG
[%]
P
tot
Power dissipation versus ambient temperature )
Verlustleistung in Abh. von der Umgebungstemp. )
1
1
120
100
80
20
00 150
50 100
T
A
[°C]
60
40
Forward characteristics (typical values)
Durchlasskennlinien (typische Werte)
T = 25°C
j
T = 125°C
j
[A]
I
F
V
F
[V] 1.41.00.80.60.40
10
-3
10
-2
10
-1
1
10
21
3
2
3
1
