European Power-
Semiconductor and
Electronics Company
GmbH + Co. KG
Marketing Information
FD 400 R 12 KF4
2,5 deep
716
C1
C2E1
E2
M8
55,2
11,85
31,5
28
E1
C1
40
53
G1
2,5 deep
M4
130
114
screwing depth
max. 8
screwing depth
max. 8
C1
E1
G1
E1
C1
C2 (K)
E2 (A)
A15/97 Mod-E/ 21.Jan 1998 G.Schulze
FD 400 R 12 KF 4
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Kollektor-Emitter-Sperrspannungcollector-emitter voltageVCES 1200 V
Kollektor-DauergleichstromDC-collector currentIC400 A
Periodischer Kollektor Spitzenstrom repetitive peak collctor current tp=1 msICRM800 A
Gesamt-Verlustleistungtotal power dissipation tC=25°C, Transistor /transistorPtot2700 W
Gate-Emitter-Spitzenspannung gate-emitter peak voltageVGE± 20 V
DauergleichstromDC forward currentIF400 A
Periodischer Spitzenstrom repetitive peak forw. current tp=1msIFRM800 A
Isolations-Prüfspannunginsulation test voltageRMS, f=50 Hz, t= 1 min.VISOL2,5kV
Charakteristische Werte / Characteristic values: Transistormin. typ.max.
Kollektor-Emitter Sättigungsspannungcollector-emitter saturation voltageiC=400A, vGE=15V, tvj=25°CvCE sat-2,7 3,2V
iC=400A, vGE=15V, tvj=125°C-3,3 3,9V
Gate-Schwellenspannung gate threshold voltageiC=16mA, vCE=vGE, tvj=25°CvGE(th)4,5 5,5 6,5V
Eingangskapazitätinput capacityfO=1MHz,tvj=25°C,vCE=25V, vGE=0VCies-28 -nF
Kollektor-Emitter Reststromcollector-emitter cut-off currentvCE=1200V, vGE=0V, tvj=25°C iCES -8- mA
vCE=1200V, vGE=0V, tvj=125°C-32 - mA
Gate-Emitter Reststromgate leakage currentvCE=0V, vGE
=20V, tvj=25°C iGES - - 400 nA
Emitter-Gate Reststromgate leakage currentvCE=0V, vEG=20V, tvj=25°C iEGS- - 400 nA
Einschaltzeit (induktive Last)turn-on time (inductive load)iC=400A,vCE=600V,vL=±15V,RG=3,6,tvj= 25°Cton-0,7-µs
iC=400A,vCE=600V,vL=±15V,RG=3,6,tvj=125°C-0,8-µs
Speicherzeit (induktive Last)storage time (inductive load)iC=400A,vCE=600V,vL=±15V,RG=3,6,tvj= 25°Cts-0,9-µs
iC=400A,vCE=600V,vL=±15V,RG=3,6,tvj=125°C-1,0-µs
Fallzeit (induktive Last)fall time (inductive load)iC=400A,vCE=600V,vL=±15V,RG=3,6,tvj= 25°Ctf-0,10 -µs
iC=400A,vCE=600V,vL=±15V,RG=3,6,tvj=125°C-0,15 -µs
Einschaltverlustenergie pro pulsturn-on energie per pulseiC=400A, vCE=600V, Ls=70nHEon
vL=±15V, RG=3,6, tvj=125°C-70 - mWs
Abschaltverlustenergie pro Pulsturn-off energie loss per pulseiC=400A, vCE=600V, Ls=70nHEoff
vL=±15V, RG=3,6, tvj=125°C-60 - mWs
Charakteristische Werte / Characteristic values
Inversdiode / Inverse diode
Durchlaßspannungforward voltageiF=400A, vGE
=0V, tvj=25°CvF-2,2 2,7V
iF=400A, vGE
=0V, tvj=125°C-2,0 2,5V
Rückstromspitzepeak reverse recovery currentiF=400A, vRM
=600V, vEG = 10VIRM
-diF/dt = 2,0 kA/µs, tvj = 25°C-140 -A
-diF/dt = 2,0 kA/µs, tvj = 125°C-240 -A
Sperrverzögerungsladungrecovered chargeiF=400A, vRM
=600V, vEG = 10VQr
-diF/dt = 3,0 kA/µs, tvj = 25°C-18 -µAs
-diF/dt = 3,0 kA/µs, tvj = 125°C-50 -µAs
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wärmewiderstandthermal resistance, junction to caseTransistor / transistor, DC RthJC0,023 °C/W
Transistor,DC,pro Zweig/per arm 0,046 °C/W
Diode, DC, pro Modul/per module 0,044 °C/W
Diode, DC, pro Zweig/per arm 0,088 °C/W
Übergangs-Wärmewiderstandthermal resistance, case to heatsinkpro Modul / per ModuleRthCK0,01 °C/W
pro Zweig / per arm 0,02 °C/W
Höchstzul. Sperrschichttemperatur max. junction temperaturepro Modul / per Moduletvj max150 °C
Betriebstemperaturoperating temperatureTransistor / transistortc op -40...+150 °C
Lagertemperaturstorage temperaturetstg -40...+125 °C
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlagecase, see appendixSeite / page 1
Innere Isolation internal insulation AI2O3
Anzugsdrehmoment f. mech. Befestigungmounting torque terminals M6 / tolerance +/-15%M1 5 Nm
Anzugsdrehmoment f. elektr. Anschlüsseterminal connection torque terminals M4 / tolerance +/-15%M2 2 Nm
terminals M8 8...10 Nm
Gewichtweight G ca. 1500 g
Bedingung für den Kurzschlußschutz / Conditions for short-circuit protection
tfg = 10 µsVCC = 750 V
vL = ±15 VvCEM = 900 V
RGF = RGR = 3,6iCMK1 3500 A
tvj = 125°CiCMK2 3000 A
Unabhängig davon gilt bei abweichenden Bedingungen / with regard to other conditionsCEM
= VCES - 20nH x |di
c/dt|
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den
zugehörigen Technischen Erläuterungen. This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid in
combination with the belonging technical notes.
v
FD 400 R12 KF4
FD400R12KF4
iC
[A]
Bild/Fig. 3
Übertragungscharakteristik (typisch)
Transfer characteristic (typical)
VCE = 20 V
v GE [V]
5 6 7 8 9 10 11 12
0
t vj =
125 °C
25 °C
FD400R12KF4
iC
[A]
Bild/Fig. 4
Rückwärts-Arbeitsbereich
Reverse biased safe operating area
tvj = 125 °C, vLF = vLR = 15 V, RG = 3,6
v CE [V]
0
0
400
600
800
1000
200 12001000 1400
200
400 600 800
FD400R12KF4
iC
[A]
Bild/Fig. 1
Kollektor-Emitter-Spannung im Sättigungsbereich (typisch)
Collector-emitter-voltage in saturation region (typical)
VGE = 15V
-----Tvj = 25 °C
___Tvj = 125 °C
v CE [V]
1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5 5.0
0
200
800
400
600
FD400R12KF4
iC
[A]
Bild/Fig. 2
Kollektor-Emitter-Spannung im Sättigungsbereich (typisch)
Collector-emitter-voltage in saturation region (typical)
tvj = 125 °C
v CE [V]
1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5 5.0
0
8 V
9 V
10 V
12 V
15 V
V GE = 20 V
100
300
500
700
200
800
400
600
100
300
500
700
200
800
400
600
100
300
500
700
FD 400 R12 KF4
FD400R12KF4
Z(th)JC
[°C/W]
Bild/Fig. 5
Transienter innerer Wärmewiderstand je Zweig (DC)
Transient thermal impedance per arm (DC)
10-32 4 10-210-1100
10-3
10-2
2
3
5
2 4 2 4 2
t [s]
101
4
IGBT
Diode
FD400R12KF4
iF
[A]
Bild/Fig. 6
Durchlaßkennlinie der Inversdiode (typisch)
Forward characteristic of the inverse diode (typical)
tvj = 25 °C
tvj = 125 °C
v F [V]
01.0 1.5 2.0 2.50.5 3.0
10-1
2
3
6
200
800
400
600
100
300
500
700
