0029426 A_E G CGRP 81C 05778 pT -2kS -/S~ A E G CORP al DE PJ oozs426 0005778 & yf Typenreihe/Type range T12F 500* 600 700 800 900 1000 1100* 1200* Elektrische Eigenschaften Electrical properties Hchstzuldssige Werte Maximum permissible values Upau, Urrm Periodische Vorwarts- und repetitive peak forward off-state 00...1200 Vv Riickwarts-Spitzensperrspannung and reverse voitages lramsm Effektiver DurchlaBstrom RMS on-state current 30 A lravu Dauergrenzstrom average on-state current te = 85C 12 A tc =50C 19 A hsm StoBstrom-Grenzwert surge current t=10ms,ty= 45C 220 A t=10 ms, ty = tymax 200 A fPdt Grenzlastintegral fPdt-value t=10ms, ty= 45C 240 = As t= 10ms, ty=tymax 200s As (di/dt),, _ Kritische Stromsteilheit critical rate of rise of on-state current nicht periodisch/non repetitive 300 A/ps Dauerbetrieb/continuous operation, itm = 120A 60 A/us . UL= 8V, lq = 0,25 A, dig/dt = 0,25 A/us (du/dt).. _ Kritische Spannungssteilheit critical rate of rise of off-state voltage Up = 67% Urn, ty = timax ) 2) B: 50 50 V/us C*: 400 400 V/ps L: 400 50 VWus M*: 1000 400 V/s Charakteristische Werte Characteristic values ur Obere DurchlaBspannung max. on-state voltage ty =tymax lr =60A 2,7 V Ucroy Schleusenspannung threshold voltage ty = tymax 1,25 V It Ersatzwiderstand slope resistance ty=tymax 26 mga Uat Obere Ziindspannung max. gate trigger voltage ty = 25C, Up = 6V, Ra=102 2 V lat Oberer Ziindstrom max. gate trigger current ty = 25C, Uo = 6V, Ra = 102 50 mA Unterer Ziindstrom min. gate trigger current ty = tyman Up = 6V, Ra=10Q 0,5 mA ly Oberer Haltestrom max. holding current ty = 25C, up = BV, Ra=10Q 100 mA k Oberer Einraststrom max. latching current ty = 25C, Up = 6 V, Rax= 202 200 mA la = 0,25A, dig/dt = 0,25 A/ps, ty = 10 us ip, in Oberer Vorwarts- und Riickwarts- max. forward off-state and ty = tyman Up = Uprm (Un = Unrn) 5 mA Sperrstrom reverse currents tea Oberer Ziindverzug - max. gate controlled delay time ig = 0,25 A, dic/dt = 0,5 A/us 1,8 wus tg ~ Obere Freiwerdezeit max. circuit commutated Prifbedingungen siehe3.4.3.2/ C: 12 ps*) turn-off time test conditions see 3.4.3.2 D: 15 ops Qs Obere Nachlaufladung max. lag charge ty = tymax in = 20 A, -dir/dt = 20 A/us 8 pAS Cautt Typische Nullkapazitat typ. zero capacitance ty = 25C, f= 10 kHz 170 pF Thermische Eigenschaften Thermal properties Rinuc Innerer Warmewiderstand thermal resistance, = 180el, sinus = 1,6 C/W junction to case pc = 1,32C/W tyj max Hchstzul. Sperrschichttemperatur max. junction temperature 125C Betriebstemperatur operating temperature 40C...4+125C Lagertemperatur storage temperature 40C....4+130C Mechanische Eigenschaften Si-Element glaspassiviert, gelotet Gewicht Anzugsdrehmoment Kriechstrecke MaBbilder Gehause C Gehause U Mechanical properties Si-pellet glass-passivated, soldered weight tightening torque creepage distance outlines case C case U * Fir grBere Stiickzahlen bitte Liefertermin erfragen/Delivery for larger quantities on request 14) Werte nach DIN 41787 (ohne vorausgehende Kommutierung)/Values to DIN 41787 (without prior commuation) 2) Unmittelbar nach der Freiwerdezeit/Immediately after turn-off time 3) Upru = 1000 Vv 2144 F-11 DIN 41892-20103 TO48 12g 2Nm 2mm Seite/page 255 490029426 A E G CORP T12F Bilder 1, 2,3 Hchstzulassige Strombelastbarkeit in Abhangigkeit von der Halbschwingungsdauer bei: sinusfrmigem Stromverlauf, der angegebenen Gehdusetemperatur to, Vorwarts-Sperrspannung Upy = 0,67 Upry, Spannungssteilheit dup/dt gem4B 5. Kennbuchstaben, Riickwarts-Sperrspannung Upy = 50 V, Rickwarts-Spannungssteilheit dup/dt = 100 V/us oder Betrieb mit antiparalteler schneller Diode, Freiwerdezeit t, gemaB 4. Kennbuchstaben, Steuergenerator: u_ = V, ie = 0,2 A, ta = 1 nS, RC-Glied: R [Q] = 0,05 upm [V], C = 0,068 pF _ ~ Parameter: Wiederholfrequenz fo [kHz] Repetition rate fo [KHz] Fig. 1,2, 3 Maximum allowable current load versus halfwave duration at: sinusoidal current waveform, given case temperature te, forward off-state voltage Upy = 0.67 Upau, rate of rise of forward voltage dup/dt according to 5th code letter, reverse voltage Upy = 50 V, rate of rise of reverse voltage du,/dt = 100 V/us or operation with inverse paralleled fast diode, circuit commutated turn-off time t, according to 4th code letter, pulse generator: u, = 8 V, ig = 0.2 A, ta = 1 us, RC network: R [Q] = 0.05 uow [V], C < 0.068 pF 50 2145 F-12 81 DEM oo2542b Ono05779 & BF 7-2s 0s 200 150 [a] itm 100 90 80 70 60 50 40 30 20 10 20 40 60 100 200 400 600 1000 Tlae tp [as] a Bild/Fig. 1 200 150 ay 100 90 80 70 60 50 40 30 20 10 20 40 60 100 200 400 600 1000 TRF tp us] Bild/Fig. 2 100 IL] "TM 60 50 40 30 20 15 te 100C 10 10 20 40 60 100 200 400 600 1000 Tie tp [us] a Bild/Fig. 3: a ~ . 0029426 A E G CORP - 8) DEGPooe42b coos7ao 4 7-28 -/S Bilder 4, 5,6 40 Hchstzulassige Strombelastbarkeit in Abhangigkeit von der [a] Stromsteilheit bet: 30 trapeztrmigem Stromvertauf, der angegebenen Gehausetemperatur tc, vy Vorwarts-Sperrspannung Uoy = 0,67 Uprm, Freiwerdezeit t, gema8 4. Kennbuchstaben, 20 Spannungssteilheit dup/dt gemaB 5, Kennbuchstaben, Steuergenerator: ut = 8 V, ig = 0,2 A, fa = 1 ps, 15 AC-Glied: R [2] = 0,05 uom [V], C < 0,1 pF Ausschaltverlustleistung: 10 nicht berticksichtigt. Die Kurven gelten fiir den Betrieb 9 mit antiparalleler schneller Diode oder dug/dt = 100 V/us bei Anstleg auf Upy < 50 V. 8 beriicksichtigt fiir dug/dt = 400 V/us bei Anstieg 7 auf Uau = 0,67 Una. 6 Anmerkung: 5 ----- Fur den Betrieb im kurzgesfrichelten Bereich der Kurven wird die Verwendung zusatzlicher Beschaltungsglieder 4 empfohtien. 1 2 4 6 a 10 20 40 60 100 rue tdiz (dt [Alas] o=m . Bild/Fig. 4 i : -dizidt tava ; edisat | et 40 = f -| T= i __ al [a] 30 itm Parameter: Wiederholfrequenz fg {kHz] Repetition rate fo [kHz] 20 15 Fig. 4, 5,6 Maximum allowable current load versus rate of rise of current at: 10 trapezoidal current waveform, 9 given case temperature to, 8 forward off-state voltage Uny <= 0.67 Upau, circuit commutated tum-off time t, according to 4th code letter, 7 rate of rise of volfage dup/dt according to Sth code letter, 6 pulse generator: uL = 8 V, ig = 0.2 A, ta = 1 ps, RC network: R [Q] = 0.05 upm [V], C$ 04 pF 5 4 . Tum-off power loss: 1 2 4 6 8 10 20 40 60 100 not taken into account. The curves apply for operation Tie . with inverse paralleled fast diode or dup/dt = 100 V/us Bild/Fig. 5 sdiz /dt [Alas] tising up to Uay = 50 V. -- taken info account for dua/dt = 400 V/us rising up {0 Unw = 0.67 Unau- 165 Note . ----~ for operation in the fine dashed range of the curves [A] it is recommended to use additional suppression components. 10 'T 8 7 6 5 4 3 2 45 4 2 4 6 8 10 20 40 60 700 rae tdip/dt [Asus] om Bild/Fig. 6 2146 F-13 510029426 A E G CORP T12F A E G CORP Bild/Fig. 7 Diagramm zur Ermitilung der Summe aus Einschalt- und Durchlafiverlust- leistung (Pr + Py). Diagram for the determination of the sum of the turn-on and forward on-state power loss (Py; + Py). Bild 8 Diagramm zur Ermitttung der Gesamtenergie Win fiir einen sinustrmigen DurchlaRstrom-Puls bet: Vorwarts-Sperrspannung Upu = 0,67 Upau, Rickwarts-Sperrspannung Upy = 50 V, Ritckwarts-Spannungssteilheit dug/dt = 100 V/us, Steuergenerator: u_ = 8 V, ig = 0,2 A, tp = 1 us, RC-Glied: R [Q] = 0,05 up [V], C = 0,068 pF iT t p t_ Fig. 8 Diagram for the determination of the total energy Wr for a sinusoidal on-state current pulse at: forward off-state voltage upy = 0.67 Upry, reverse voltage Upy = 50 V, tate of rise of reverse voltage dup/dt = 100 V/ps, pulse generator: u. = 8 V, ig = 0.2 A, ta = 1 pS, RC network: R (Q] = 0.05 up [V], C < 0.068 pF 82 2147 F-14 81C 05781 DO 7-L~ yeu Ai DE J ooeq4e2t 0005781 & gf 4 6 8 10 20 400 600 1000 t (us] 4 2 4 THATIZE 40 60 & 100 200 300 200 [A] it 400 40 30 20 10 0 20 40 6 100 200 TiZe4 tp [us] 400 600 1000 2000 30000029426 A EG CORP - 4a DEM oo254eL onos7ea a [7-as Vs T12F 3 few} Z(thyac 25 6 tyj = 125c 1 05 1 a 3 4 0 tess uy [vy] Bild/Fig. 9 Bild/Fig. 10 . GrenzdurchlaBkennlinie bei ty max Transienter innerer Warmewiderstand Zymic bei sinus- und trapezformigem Maximum on-state characteristic at ty max Stromverlauf. Transient thermal impedance Zinc, junction to case at sinusoidal and trapezoidal current waveform. 1000 bs] toe? 100 40 20 10 4 2 1 0.4 02 01 1 i 2 4 6 10 20 40 60 100 200 400 1 2 4 6 10 t lb mA +_a Faz ea ig _ tae G Bitd/Fig. 11 Bild/Fig. 12 Ziindbereich und Spitzensteuerleistung bel up = 6 V. Ziindverzug tga bel itm = 4 A, ty = 25C. Gate characteristic and peak gate power dissipation at Up = 6 V. Gate controlled delay time tga at ima = 4 A, ty = 25C. Parameter: abe d a uBerster VerlaufAimiting characteristic ; ; b typischer Verlauf/typical characteristic Steuerimpulsdauer/Pulse duration ty [ms] 10 1 0,5 0,1 Hchstzulassige Spitzensteuerleistung/ Maximum allowable peak gate power (W] 3 6 8 20 20 40 60 80 [tus] 100 TW. -di At Bild/Fig. 13 Typische Abhangigkeit der oberen Nachlaufladung Qs von der abkommu- tierenden Stromsteilheit -di/dt bei ty max. Typical relationship between the maximum lag charge Qs and the rate of fall of . the on-state current -di/dt at ty max. ~ 6-01 53