МОЩНЫЕ ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ (Power MOSFET)
Power MOSFET, серия IRF
n-канальные MOSFET, серия BUZ
Mega FET серия
Улучшенные Power MOSFET
HARRIS
является мировым лидером в производстве Power MOSFET.
Выпускаются как n-канальные, так и p-канальные транзисторы, но первые используются чаще и имеют больший
диапазон токов и напряжений. Кроме этого выпускаются полевые транзисторы с управлением сигналом
логического уровня, с ограничением тока, с защелкой по напряжению.
Области применения: регуляторы, конвертеры, драйверы двигателей, реле и мощных биполярных транзисторов.
Полевые транзисторы имеют очень высокое входное сопротивление и обычно могут управляться непосредственно
от микросхемы без дополнительных усилительных каскадов.
Более подробную информацию
можно получить по адресу
www.semi.harris.com
или заказав литературу
непосредственно у
HARRIS
.
Бланк для заказа литературы
приведен в каталоге.
Максим. значения
V
СИ
,В I
СИ
,A R
СИ(откр.)
,Ом TO-204 TO-220AB TO-247 DIP-4
n-канал
100
0,4 3,2 IRFD1Z2
0,8 0,8 IRFD112
1,3 0,3 IRFD120
5,6 0,54 IRF510
9,2 0,27 IRF120 IRF520
14,0 0,16 IRF530
28,0 0,077 IRF140 IRF540
40,0 0,055 IRF150 IRFP150
200
0,45 2,4 IRFD212
0,80 0,8 IRFD220
3,3 1,5 IRF610
5,0 0,8 IRF220 IRF620
9,0 0,4 IRF230 IRF630
18,0 0,18 IRF240 IRF640
33,0 0,085 IRF250 IRFP250
400
0,4 3,6 IRFD310
2,0 3,6 IRF710
3,3 1,8 IRF320
5,5 1,0 IRF330 IRF730
10,0 0,55 IRF340 IRF740
16,0 0,3 IRF350 IRFP350
23,0 0,2 IRF360 IRFP360
500
2,5 3,0 IRF420 IRF820
4,5 1,5 IRF430 IRF830
8,0 0,85 IRF440
14,0 0,4 IRF450 IRFP450
20,0 0,27 IRF460 IRFP460
1000 4,3 3,5 IRFPG40
p-канал
100
1,0 0,6 IRFD9120
3,0 1,2 IRF9510
6,0 0,6 IRF9520
12,0 0,3 IRF9130 IRF9530
19,0 0,2 IRF9140 IRF9540 IRFP9140
200
3,5 1,5 IRF9620
6,5 0,8 IRF9230 IRF9630
11,0 0,5 IRF9240 IRF9640
Максимальные значения Максимальные значения
V
СИ
,В I
СИ
,A R
СИ(откр.)
,Ом V
СИ
,В I
СИ
,A R
СИ(откр.)
,Ом
50 14,0, 0,1 BUZ71 200 9,5 0,4 BUZ32
30,0 0,04 BUZ11 400 3,0 1,8 BUZ76
100 9,0 0,25 BUZ72A 5,5 1,0 BUZ60
19,0 0,1 BUZ21 500 4,0 2,0 BUZ42
200 5,8 0,6 BUZ73A 1000 4,3 3,5 RFP4N100
Максим. значения
V
СИ
,В I
СИ
,A R
СИ(откр.)
,Ом TO-220AB
n-канал
50
14 0,1 RFP14N05
25 0,047 RFP25N05
50 0,22 RFP50N05
100 22 0,080 RFP22N10
40 0,040 RFP40N10
p-канал
50
8 0,300 RFP8P05
15 0,150 RFP15P05
30 0,065 RFP30P05
n-канал, управление логическим
уровнем
50
4 0,800 RFP4N05L
14 0,100 RFP14N05L
25 0,047 RFP25N05L
50 0,022 RFP50N05L
100
2 1,050 RFP2N10L
7 0,300 RFP7N10LE
12 0,200 RFP12N10L
200 2 3,500 RFP2N20L
8 0,500 RFP8N20L
p-канал, управление логическим
уровнем
30 10 0,225 RFP10P03L
Максим. значения
V
СИ
,В I
СИ(огр.)
,A R
СИ(откр.)
,Ом TO-220AB
80 1 0,75 RLP1N08LE
5,5 0,12 RLP5N08LE
Максим. значения
V
СИ
,В I
СИ(огр.)
,A R
СИ(откр.)
,Ом TO-220AB
55 1 0,75 RLP1N06CLE
RLP1N08LE, RLP5N08LE RLP1N06CLE
Имеют встроенную схему,
ограничивающую max
значения I
си
на уровне 1 А
и 5,5 А соответственно.
Встроенный стабилитрон
защищает от статического
электричества до 2 кВ.
Имеют схему ограничения
I
си
, защелку по напряжению
(уровень 60÷70 В),
встроенный стабилитрон
для защиты от статического
электричества до 2 кВ.
n-канал p-канал
n-канал p-канал
TO-220AB
