BAS40, BAS40-04, BAS40-05, BAS40-06 BAS40, BAS40-04, BAS40-05, BAS40-06 IFAV = 200 mA VF1 < 0.38 V Tjmax = 150C SMD Small Signal Schottky Diodes SMD Kleinsignal-Dioden VRRM = 40 V IFSM = 600 mA trr < 5 ns Version 2017-01-25 Typical Applications Signal processing, High-speed switching, Polarity protection Commercial grade 1) 0.4 Type Code 1 1.3 0.1 2.4 0.2 3 2 1.9 Besonderheiten Extrem schnelles Schalten Niedrige Sperrschicht-Kapazitat Niedriger Sperrstrom Konform zu RoHS, REACH, Konfliktmineralien 1) RoHS Pb EE WE Features Very high switching speed Low junction capacitance Low leakage current Compliant to RoHS, REACH, Conflict Minerals 1) +0.1 1.1 -0.2 2.9 0.1 +0.1 -0.05 Typische Anwendungen Signalverarbeitung, Schnelles Schalten, Verpolschutz Standardausfuhrung 1) EL V SOT-23 (TO-236) Mechanical Data 1) 0.1 Mechanische Daten 1) Taped and reeled 3000 / 7" Weight approx. Dimensions - Mae [mm] Gegurtet auf Rolle 0.01 g Solder & assembly conditions Gewicht ca. 260C/10s Lot- und Einbaubedingungen MSL = 1 BAS40 BAS40-04 3 Type Code 43 Single Diode 1 2 3 Type Code 44 Series Connection 1 2 1 = A 2 = n. c. 3 = C 1 = A1 2 = C2 3 = C1/A2 BAS40-05 BAS40-06 3 Type Code 45 Common Cathode 1 2 3 Type Code 46 Common Anode 1 = A1 2 = A2 3 = C1/C2 1 2 1 = C1 2 = C2 3 = A1/A2 Maximum ratings 2) Grenzwerte 2) Power dissipation - Verlustleistung 3) Max. average forward current - Dauergrenzstrom DC Repetitive peak forward current - Periodischer Spitzenstrom Non repetitive peak forward surge current - Stostrom-Grenzwert Repetitive peak reverse voltage - Periodische Spitzensperrspannung Junction temperature - Sperrschichttemperatur Storage temperature - Lagerungstemperatur 1 2 3 4 (c) tp 1 s Ptot 310 mW 4) IFAV 200 mA 4) IFRM 300 mA 4) IFSM 600 mA VRRM 40 V Tj TS -55...+150C -55...+150C Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches TA = 25C and per diode, unless otherwise specified - TA = 25C und pro Diode, wenn nicht anders angegeben Total power dissipation of both diodes - Summe der Verlustleistungen beider Dioden Mounted on P.C. board with 3 mm2 copper pad at each terminal Montage auf Leiterplatte mit 3 mm2 Kupferbelag (Lotpad) an jedem Anschluss http://www.diotec.com/ 1 BAS40, BAS40-04, BAS40-05, BAS40-06 Characteristics Kennwerte Forward voltage Durchlass-Spannung Tj = 25C IF = 1 mA IF = 40 mA VF < 380 mV < 1000 mV Leakage current Sperrstrom Tj = 25C VR = 30 V IR < 200 nA 1) Breakdown voltage Abbruch-Spannung Tj = 25C IR = 10 A VBR > 40 V 1) CT < 5 pF trr < 5 ns Junction capacitance Sperrschichtkapazitat VR = 0 V, f = 1 MHz Reverse recovery time Sperrverzug IF = 10 mA uber/through IR = 10 mA bis/to IR = 1 mA Thermal resistance junction to ambient Warmewiderstand Sperrschicht - Umgebung RthA 120 < 400 K/W 2) 1 [%] [A] 100 10-1 80 60 10-2 40 10-3 20 IF Ptot 0 Tj = 25C -4 0 TA 50 100 150 10 [C] 0 VF 0.4 0.6 0.8 1.0 [V] 1.4 Forward characteristics (typical values) Durchlasskennlinien (typische Werte) Power dissipation versus ambient temperature 1) Verlustleistung in Abh. von der Umgebungstemp.1) 2 Disclaimer: See data book page 2 or website Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder Internet 1 2 2 Tested with pulses tp = 300 s, duty cycle 2% Gemessen mit Impulsen tp = 300 s, Schaltverhaltnis 2% Mounted on P.C. board with 3 mm2 copper pad at each terminal Montage auf Leiterplatte mit 3 mm2 Kupferbelag (Lotpad) an jedem Anschluss http://www.diotec.com/ (c)