AE G-AKTIENGESELLSCHAFT 41C D MM 0029415 0005778 T MBAEGG - T12F Typenreihe/Type range T1I2F 500* 600 700 800 900 1000 1100* 1200* Elektrische Eigenschaften Electrical properties Hchstzuldssige Werte Maximum permissible values Uprm, Ura Periodische Vorwarts- und repetitive peak forward off-state 500...1200 Vv Rickwarts-Spitzensperrspannung and reverse voltages lrawsm Effektiver DurchlaBstrom RMS on-state current 30 A brava Dauergrenzstrom average on-state current te = 85C 12 #3A to = 50C 19 +#A lism StoBstrom-Grenzwert surge current t=10ms, ty=45C 220 A t=10ms, ty = tymax 200 A fPdt Grenzlastintegral fdt-value t=10ms,ty=45C 240s As t=10ms, ty=tymax 200s As (di/dt)<- Kritische Stromsteilheit critical rate of rise of on-state current nicht periodisch/non repetitive 300 A/ps Dauerbetrieb/continuous operation, im = 120A 60 = A/ps UL = BV, Ig = 0,25 A, die/dt = 0,25 A/us (du/dt)ce Kritische Spannungssteilheit critical rate of rise of off-state voltage =. Up = 67% Una, ty = tmax i) 2) B: 50 50 Vus C*: 400 400 Vis L: 400 50 V/s M*: 1000 400 Vus Charakteristische Werte Characteristic values Ur Obere DurchlaBspannung max. on-state voltage ty= tymax tr = 60A 2,7 V Ucro) Schleusenspannung threshold voltage ty = tymax 1,25 V tr Ersatzwiderstand slope resistance fy = tymax 26 = mQ Uat Obere Ziindspannung max, gate trigger voltage ty = 25C, up = BV, Ra=102 2 NV ler Oberer Ztindstrom max. gate trigger current ty= 25C, Uo = 6V, Ba=102 50 mA Unterer Zlindstrom min. gate trigger current ty = tama. Uo = BV, Ra = 102 0,5 mA ln Oberer Haltestrom max. holding current ty = 25C, Up =6V, Ra=10Q 100 mA IL Oberer Einraststrom max. fatching current ty 25C, up = 6V, Rex = 202 200 mA ig = 0,25 A, dig/dt = 0,25 A/us, ty = 10 us lo, la Oberer Vorwarts- und Riickwarts- max. forward off-state and ta = tymax: Up = Ure (Un = Une) 5 mA Sperrstrom reverse currents toa Oberer Ztindverzug max. gate controlled delay time ia = 0,25 A, dig/dt = 0,5 A/us 18 ps ty Obere Freiwerdezeit max, circuit commutated Priifbedingungensiehe3.4.3.2/ Cs 12 us) turn-off time test conditions see 3.4.3.2 D: 15 ous Qs Obere Nachlaufladung max. lag charge ty = tymax, iru = 20 A, -dir/dt = 20 A/us 8 wpAs Coun Typische Nullkapazitat typ. zero capacitance ty = 25C, f= 10 kHz 170 = pF Thermische Eigenschaften Thermal properties Rinse InnererWarmewiderstand thermal resistance, - @=180el, sinus = 1,6 C/W junction to case pc = 1,32C/wW {yj max Hchstzul, Sperrschichttemperatur max, junction temperature 425C Betriebstemperatur operating temperature 40C....4+125C Lagertemperatur storage temperature -40C...+130C Mechanische Eigenschaften Si-Element glaspassiviert, geltet Gewicht Anzugsdrehmoment Kriechstrecke MaBbilder Gehause C Gehause U Mechanical properties Si-pellet glass-passivated, soldered weight tightening torque creepage distance outlines caseC case U * Flr grBere Stickzahlen bitte Liefertermin erfragen/Delivery for larger quantities on request 1) Werte nach DIN 41787 (ohne vorausgehende Kommutierung)/Values to DIN 41787 (without prior commuation) 2) Unmittelbar nach der Frelwerdezeit/Immediately after turn-off time 3) Upam = 1000 V 12g 2Nm 2mm . Seite/page 265 DIN 41892-20103 TO48 49A E G-AKTIENGESELLSCHAFT T12F Bilder 1, 2,3 Hchstzulassige Strombelastbarkeit In Abhangigkeit von der Halbschwingungsdauer bel: Sinusfrmigem Stromverauf, der angegebenen Gehausetemperatur te, Vorwarts-Sperrspannung Upm 0,67 Upau, Spannungsstellheit dup/dt gema46 5. Kennbuchstaben, Rickwarts-Sperrspannung Upy = 50V, Rickwars-Spannungssteilheit dup/dt < 100 V/us oder Betrieb mit antiparalleler schnelter Diode, Freiwerdezeit t, gema8 4. Kennbuchstaben, Steuergenerator: uy. = 8 V, ig = 0,2 A, ta = 1 ps, AC-Glied: R [Q] = 0,05 upm [V], C = 0,068 pF a: ( t=! Parameter: Wiederholfrequenz fo (kKHz] Repetition rate fp [kHz] Fig.1,2,3 Maximum allowable current load versus halfwave duration at: sinusoidal current waveform, given case temperature to, forward off-state voltage Upy < 0.67 Unam, rate of rise of forward voltage dup/dt according to 5th code letter, reverse voltage Uny = 50 V, rate of rise of reverse voltage du,/dt = 100 V/us or operation with inverse paralleled fast diode, circuit commutated turn-off time t, according to 4th code letter, pulse generator: uc = 8 V, Iq = 0.2 A, ta = 1s, RC network; FR [Q]} = 0.05 ups [V], C = 0.068 pF 507 BS 8iC D MM 0029415 0005779 1 MBAEGG 200 150 [A] it 100 90 80 70 60 50 40 30 20 10 20 40 60 100 200 400 600 Tize tp [us] Bild/Fig. 1 1000 Sa 200 150 [a] tym 100 90 80 70 60 50 40 30 20 10 20 40 60 100 200 400 386600 4000 TRE tp [es] Bild/Fig. 2 _ 100 Ir 't 60 50 40 30 20 15 te =100*C 10 10 20 40 60 400 200 400 600 1000 Tite tp Gus] Bild/Fig. 3 aA E G-AKTIENGESELLSCHAFT Bilder 4, 5,6 Hchstzulassige Strombelastbarkeit in Abhangigkeit von der Stromsteilheit bei: trapeztrmigem Stromverlauf, der angegebenen Gehausetemperatur te, Vorwarts-Sperrspannung Uom = 0,67 Unam: Frelwerdezelt t, gamaB 4, Kennbuchstaben, Spannungssteilheit dup/dt gema6 . Kennbuchstaben, Steuergenerator: UL = 8 V, ig = 0,2 A, ta = 1 MS, RC-Glied: R [Q} = 0,05 ups [V], C = 0,1 pF Ausschaitverlustlelstung: nicht beriicksichtigt. Die Kurven gelten fir den Betrieb mit antiparalleler schneller Diode oder dup/dt = 100 V/us bei Anstieg auf Uay = 50 V. beriicksichtigt fiir dug/dt = 400 V/us bel Anstieg auf Uny = 0,67 Unrm. Anmerkung: seo Fur den Betrieb im kurzgestrichelten Bereich der Kurven wird die Verwendung zusatzlicher Beschaltungsglieder empfehlen. i TD Noaig/at bait | edisdt | co 1 ~ t9 Parameter: Wiederholfrequenz fo [KHz] Repetition rate fo [KHz] Fig. 4,5, 6 Maximum allowable current load versus rate of rise of current at: trapezoidal current waveform, given case temperature to, forward off-state voltage Upy = 0.67 Vora, circuit commutated turn-off time t, according to 4th code letter, rate of rise of voltage dup/dt according to Sth code letter, pulse generator: u. = 8 V, ig = 0.2 A, ta = 1 5, RC network: R [Q] = 0.05 upm [V], C = 0.4 nF Turn-off power loss: not taken into account. The curves apply for operation with inverse paralleled fast diode or du,/dt = 100 V/us rising up to Uqy = 50 V. taken into account for dua/dt = 400 V/us rising up to Upm = 0.67 Unau. soos for operation in the fine dashed range of the curves it s recommended to use additional suppression components. ALC D M 0029425 0005780 & MMAEGG T12F 40 [a] 30 20 15 10 9 8 7 6 5 4 1 2 4 6 8 10 20 40 60 100 tue tdip fat [Ajus] o Bild/Fig. 4 40 [a] 30 itm 20 15 A oOntoogsg 4 1 2 4 6 8 10 20 40 60 100 rie fdiq idt [Alas] oe Bild/Fig. 5 15 [a] it a ana a 15 ? 1 2 4 6 8 10 20 40 60 100 rae tdipidt [Aus] Bild/Fig. 6 51A bE GmAKTIENGESELLSCHAFT T12F Bild/Fig. 7 Diagramm zur Ermittlung der Summe aus Einschalt- und DurchlaBverlust- leistung (Pre + Pr). Diagram for the determination of the sum of the turn-on and forward on-state power loss (Piz + Py). Bild 8 Diagramm zur Ermittlung der Gesamtenergie Wie flr elnen sinusfrmigen DurchlaBstrom-Puls bel: Vorwarts-Sperrspannung Up = 0,67 Upau, Riickwarts-Sperrspannung Upy = 50 V, Riickwarts-Spannungsstellhelt dup/dt = 100 V/us, Steuergenerator: u_ = 8 V, ig = 0,2 A, fs = 1 us, RC-Glied: R [Q] = 0,05 upm [V], C < 0,068 pF 7 iT tp t Fig. 8 Diagram for the determination of the total energy Wie fot a sinusoidal on-state current pulse at: forward off-state voltage Upy S 0.67 Upan reverse voltage Uny = 50 V, tate of rise of reverse voltage dup/dt = 100 V/us, pulse generator: u. = 8 V, la = 0.2 A, ta = 1 pS, RC network: R [2] = 0.05 um [V], C = 0.068 pF 5D ss sg 81C D M 0029415 0005781 T MMAEGG 71000 400 ipLa] 40 40 1 1 2 4 6 8 10 20 40 60 8 100 200 400 60 061000 Tw OTIZe t [us] _ 300 200 [a] itm 100 60 40 30 20 10 6 4 3 0 20 40 60 100 200 400 600 1000 2000 3000 Tae4 tp fs] A E G-AKTIENGESELLSCHAFT 81 D M@M@ 0029415 0005782 1 MBAEGG T12F 3 fer} Zenic 25 16 tyj = 125C 1 Os a Ted uy [v] _ 2 410 20 mo 700 200s: 400 2 . 4 10 Hiawal t a Bild/Fig. 9 Bild/Fig. 10 GrenzdurchtaBkennilinle bel ty max Transienter innerer Warmewiderstand Zpnc bei sinus- und trapezfrmigem Maximum on-state characteristic at ty max Stromvertauf. Transient thermal impedance Zine, junction to case at sinusoidal and trapezoidal current waveform. 1000 bs t 200 100 04 02 on 1 1 Zz 4 6 1 20 40 6 100 200 40 #2+ +%2 4 6 0 Le mA fe A ol THANE ig 1128 6 Bild/Fig. 11 Bild/Fig. 12 Zindbereich und Spitzensteuertelstung bei Up = 6 V. Ziindverzug tga bei im = 4 A, ty = 25C. Gate characteristic and peak gate power dissipation at Up = 6 V. Gate controlled delay time tga at In4 = 4 A, ty = 25C. Parameter: a boc d a~- 4uferster Verlauf/imiting characteristic - . btypischer Vertauf/typical characteristic Steuerimpulsdauer/Pulse duration ty [ms] 10 1 05 01 Hochstzuldssige Spitzensteuerteistung/ Maximum allowable peak gate power (W] 3 6 8 20 20 40 60 80 Alns| 100 10 -di At Bild/Fig. 13 Typische Abhdnglgkeit der oberen Nachlaufladung Qs von der abkommu- tierenden Stromsteitheit -di/dt bei ty max. Typical relationship between the maximum lag charge Qs and the rate of fall of the on-state current -di/dt at ty max.